Недавно лаборатория Джиуфенгшан достигла значительного технологического прорыва в области материалов индий -фосфида (INP), успешно разработав процесс эпитаксиального роста для 6 - дюйма inp - детекторов структуры структуры FP и структуры FP. Ключевые показатели эффективности достигли ведущих уровней на международном уровне. Это достижение отмечает первое внутреннее достижение в области крупномасштабного производства материалов INP, достигая скоординированного применения от основного оборудования до ключевых материалов, обеспечивая важную поддержку промышленной разработке оптоэлектронных устройств.
В качестве основного материала в оптической связи, квантовых вычислениях и других областях промышленное применение INP уже давно сталкивается с техническими узкими местами в крупных -. Основной процесс отрасли остается на 3-дюймовой стадии, и высокая стоимость делает его неспособным удовлетворить взрывной рост промышленных приложений.
Используя внутреннее оборудование MOCVD и технологию подложки INP, лаборатория Jiufengshan преодолела проблемы контроля больших - Эпитаксиальную однородность и разработала первый процесс эпитаксиального роста для 6 - дюймовых индейских фосфид (INP) -, основанных на конструкциях, и FP -структурах. Ключевые показатели производительности достигли уровня ведущего на международном уровне, закладывая основу для крупномасштабной продукции 6-дюймовых оптических чипов индий-фосфида (INP).
Свойства материала:
• FP лазерная квантовая скважина<1.5nm, and composition and thickness uniformity is <1.5%.
• Концентрация фонового материала детектора штифта<4×10¹⁴cm⁻³, and mobility is >11 000 см²/V · с.
Лабораторная лабораторная команда джиуфенган
Против быстрого развития глобальной оптоэлектронической промышленности спрос на фосфид индия (INP) в оптической коммуникациях, лидар, Terahertz Communications и других областей испытывает взрывной рост. Согласно Yole Développement, ожидается, что рынок оптоэлектроники INP в 2027 году достигнет 5,6 млрд. Долл. США, а совокупный годовой темп роста (CAGR) составит 14%. Ожидается, что прорыв в 6-дюймовом процессе фосфида индия (INP) снизит стоимость внутренних оптических чипов до 60-70% от 3-дюймового процесса, помогая повысить конкурентоспособность рынка внутренних оптических чипов.
