Чанчуньский институт оптической техники и физики (CIPM) Китайской академии наук (CAS) сообщил, что исследовательская группа по мощным полупроводниковым лазерам в CIPM под руководством академика Ван Лицзюня и исследователя Нин Юнцян провела исследование о передовых полупроводниковых лазерах с узкой шириной линии и ключевых технологиях последних лет.
Недавно младший научный сотрудник команды Чао Чен сообщил о создании линейно поляризованного полупроводникового лазера с узкой шириной линии 852 нм, основанного на внешней оптической структуре обратной связи. Лазерная структура обеспечивает высокую линейную поляризацию и узкую ширину лазерного излучения с коэффициентом затухания поляризации более 30 дБ и частотой всего 2,58 кГц за счет введения фемтосекундного лазерно-индуцированного двулучепреломляющего фильтра на решетке Брэгга и интеграции его с гибридом высокой поляризационной корреляции. полупроводниковые чипы усиления, использующие селективную обратную связь по поляризации и методы блокировки инжекции.
Рис. (а) Спектральные характеристики возбуждения лазера, (б) Характеристики изменения коэффициента затухания поляризации с инжекционным током (на вставке показана мощность лазера, измеренная при различных углах поворота волновой пластины лазера), (в) спектр мощности частоты биений и его аппроксимационная кривая ширины лазерной линии, измеренная методом самопоглощения с задержкой во времени, и (d) лоренцева ширина линии, численное моделирование и результаты испытаний.
Лазер может быть использован в качестве потенциального источника света с атомной накачкой для прецизионных квантовых измерительных систем, и, основываясь на предыдущих исследованиях в области радиационно-стойких лазеров с узкой шириной линии, он также перспективен для использования в квантовых экспериментальных системах с холодными атомами в космических средах. как бортовые, так и бортовые стрелки.
