Недавно преподаватели и студенты Института твердотельного лазера и сверхбыстрой фотоники, Института лазерной техники, Школы физики и оптоэлектроники добились важного прогресса в изучении динамики сверхбыстрых носителей оптоэлектронных функциональных кристаллов. обобщены в статье «Анизотропная динамика носителей и созданные лазером люминесцентные картины на ориентированном монокристалле». Результаты исследования опубликованы в Интернете в журнале Nature Communications под заголовком «Анизотропная динамика носителей и изготовленные лазером люминесцентные картины на ориентированных монокристаллических пластинах перовскита», что имеет большое значение для продвижения практического применения функциональных кристаллов в области фотоэлектрической энергии.
Первыми авторами статьи являются Гэ Чао, младший научный сотрудник Школы физики и оптоэлектронной техники, и Ли Ячао, докторант Школы физики и оптоэлектронной техники, а Гэ Чао, младший научный сотрудник, и Сун Хайин, младший научный сотрудник НОТУ, и Чжан Вэнькай, профессор Пекинского педагогического университета, и Лю Ян, профессор Шаньдунского университета, являются соавторами. Это исследование было поддержано Национальным фондом естественных наук Китая и Программой научных исследований Пекинской муниципальной комиссии по образованию.
В последние годы большое внимание привлекают халькогенидные материалы и их применение в оптоэлектронике. Однако глубокое понимание их анизотропного поведения в динамике сверхбыстрых носителей все еще отсутствует. Чтобы восполнить этот пробел, исследовательская группа впервые в пикосекундном масштабе времени выявила эволюцию анизотропной динамики фотовозбужденных носителей, поляризованных внутри и между кристаллическими плоскостями с различной ориентацией, на основе высококачественных, по-разному ориентированных Монокристаллические пластины MAPbBr3. Это открытие обеспечивает углубленное понимание путей релаксации сверхбыстрых носителей заряда с кристаллографической точки зрения, что имеет большое значение для изучения и расширения применения монокристаллов халькогенидов в области сверхбыстрой оптоэлектроники, например, в оптических модуляторах, высокочастотных -скоростные оптические поляризационные датчики и баллистические транзисторы.
Кроме того, используя фемтосекундную лазерную двухфотонную обработку, исследовательская группа успешно подготовила картины люминесценции с усилением флуоресценции трех порядков величины. Механизм усиления флуоресценции был глубоко проанализирован с многомерной пространственной (объемный и микро/наномасштаб) и временной (стационарный и переходный режим) точки зрения, что обеспечивает удобную нисходящую стратегию для повышения интенсивности фотолюминесценции объемных кристаллов. Это исследование обеспечивает глубокое понимание динамики сверхбыстрых носителей MAPbBr3, сосредоточив внимание на кристаллографической перспективе, которая, как ожидается, предоставит больше указаний для ориентационно-селективного использования халькогенидных горячих носителей в оптоэлектронике в будущем.
Прогресс в изучении динамики сверхбыстрых носителей заряда в оптоэлектронных функциональных кристаллах в NIT. Важно для приложений халькогенидов в монокристаллах.
Кинетическая эволюция фотовозбужденных носителей на гранях (100), (110) и (111) кристаллов MAPbBr3 и механизм фемтосекундного лазерно-индуцированного усиления флуоресценции.
