9 августа 2022 года президент Джо Байден официально подписал Закон о чипах и науке. В рамках поддержки полупроводниковой промышленности США в размере 54,2 миллиарда долларов в законопроекте также четко указано, что «субсидируемые компании не могут значительно расширяться в Китае и связанных с ним странах в отношении полупроводниковой промышленности в течение десяти лет». В то же время Соединенные Штаты также сформировали альянс по производству микросхем с другими центрами полупроводниковой промышленности, такими как Южная Корея, с частыми действиями.
Будущее развитие отечественных чипов Китая для замены импортных чипов стало предрешенным, соответствующие промышленные приложения остро нуждаются в развитии. Лазер с каплями воды в качестве отечественного лидера и пионера в области лазерной очистки, а также в постоянных инвестициях в затраты на исследования и разработки, чтобы изучить возможность применения машины для лазерной очистки в промышленности по производству микросхем, надеясь ускорить развитие полупроводников в Китае. промышленность внести свою лепту.
В отрасли производства чипов, очистка полупроводников во всей отрасли, этапы составляют более 30 процентов от общего производственного процесса, это ключевой процесс, влияющий на качество пластин и производительность чипов, с рыночным пространством более 40 миллиардов. Хотя по важности и масштабу рынка оборудования это не так важно, как литография и другое основное оборудование, но как незаменимая связь с выходом производства микросхем и экономической выгодой производителей имеют жизненно важное значение.
В настоящее время, поскольку процесс производства чипов продолжает повышать уровень сложности, требования к контролю загрязнения поверхности пластины продолжают улучшаться, после каждого этапа литографии, травления, осаждения и других повторяющихся процессов требуется этап ступенчатой очистки. несомненно, что процесс очистки является наиболее частым из всех процессов, и в будущем его число будет увеличиваться.
Когда технологический узел достигает 1 0 нм в 2018 году, требования кремниевой пластины к параметрам очистки достигают определенной высоты: поверхностные частицы и плотность COP менее 0,1 / c㎡, поверхностная плотность критических металлических элементов менее 2,5 * 10⁹ при / с㎡. В настоящее время несколько отечественных предприятий могут производить 7-нм технологический узел, и, как TSMC, Samsung и т. Д., Уже могут массово производить 3-нм, при ударе до 2-нм требования к очистке будут только выше.
Текущие методы очистки пластин - это погружение, ротационное распыление, механическая чистка щеткой, ультразвуковая, мегазвуковая, плазменная, газовая фаза, лучевой поток и т. Д., В основном с использованием комбинации влажной и сухой очистки, влажная очистка является основным, но будет небольшое повреждение материала, такое как образование графических повреждений, COP (100 нм или около того полости) и т. д., химическая чистка в качестве более чистой технологии очистки в части производственной линии приложения, перспективы более многообещающие.
Машина для лазерной очистки в качестве сухой очистки, для процесса производства вафель от поверхностных загрязнений, таких как частицы пыли, металлы, органические вещества, оксиды и т. Д., Обладают хорошим очищающим эффектом, а точность эффекта более контролируема, но есть больше нет зрелых примеров домашнего применения, лазер с каплями воды, чтобы поделиться нашим отчетом о процессе черновой обработки поверхности пластины, надеемся, что будущее лазерной очистки может быть дополнительно вовлечено в процесс производства чипов.
Как новая технология промышленной очистки, машина для лазерной очистки еще не использовалась в Китае как пример практического применения в процессе производства пластин. Но в предварительных испытаниях очистки можно увидеть, что лазерная очистка в области полупроводников по-прежнему перспективна, просто до этого никто не делал предварительных технических попыток. Позже мы дополнительно изучим возможность лазерной очистки в производстве микросхем, чтобы помочь развитию полупроводниковой промышленности Китая.
