Лазерная технология является одним из четырех новых изобретений" ХХ века. Это также ключевое направление развития производственной революции" World Industry 4.0" и" Сделано в Китае 2025" ;. В моей стране' промышленная обработка, биомедицинская красота и высокоскоростная оптическая связь. С быстрым развитием таких отраслей, как машинное зрение и зондирование, лазерные дисплеи и лазерное освещение, внутренний спрос на лазеры быстро рос. . Лазерный чип является незаменимым основным устройством для развития лазерной промышленности и технологическим ядром всей цепочки лазерной промышленности. Однако индустрия лазерных чипов в моей стране началась поздно, и по сравнению с иностранными компаниями общая конкурентоспособность недостаточна. В условиях нестабильной международной политической и экономической ситуации, а также трансформации и модернизации отечественной обрабатывающей промышленности локализация лазерных чипов неизбежна.
Everbright Huaxin настаивает на независимых исследованиях, разработке и производстве высокомощных лазерных чипов с момента своего основания в 2012 году. Однотрубные чипы 9XXnm 15 Вт, 20 Вт и 25 Вт, которые были выпущены последовательно, были протестированы на промышленном рынке для многих лет и завоевали широкое доверие и признание на рынке.
Чтобы удовлетворить рыночный спрос и улучшить выходную мощность и соотношение цены и мощности источников лазерной накачки, Everbright Huaxin выпустила новый полупроводниковый лазерный чип 9XXnm 28 Вт, который значительно улучшил его рабочие характеристики и надежность.
01 Показатели эффективности достигли международного продвинутого уровня
Повышение мощности и эффективности
На выходную мощность и эффективность полупроводниковых лазеров в основном влияют такие факторы, как пороговое значение лазерного излучения, крутизна наклона и изменение мощности высокого тока. Оптимизируя конструкцию эпитаксиальной структуры, Changguang Huaxin эффективно предотвращает сильноточные перевороты и повышает эффективность фотоэлектрического преобразования.
1. Повысить эффективность
Обычно за счет уменьшения концентрации легирования PN-перехода для снижения порога и увеличения крутизны, слишком низкая концентрация легирования увеличивает сопротивление PN-перехода и увеличивает напряжение на кристалле. Чтобы решить проблему оптимального баланса порога, наклона и напряжения, мы оптимизировали волну с асимметричной структурой большого оптического резонатора, увеличили толщину волноводного слоя и тщательно спроектировали распределение концентрации легирования в различных областях PN-перехода, чтобы уменьшить оптическое поле и высокое легирование. Перекрытие свободных носителей в удерживающем примеси слое снижает потери на поглощение, чтобы гарантировать, что напряжение остается практически неизменным при понижении порога и повышается дифференциальная эффективность, тем самым повышая эффективность кристалла.
2. Избегайте сильноточного опрокидывания.
Сильный изгиб по току в основном связан с уменьшением внутренней квантовой эффективности во время сильноточной инжекции. За счет оптимизации структуры энергетической зоны материала вблизи зоны усиления лазерной структуры и улучшения способности PN-перехода' инжектировать электроны квантовая эффективность во время сильноточной инжекции увеличивается, и возникает явление сильноточного изгиба. эффективно избегается.
Улучшение качества луча, увеличение яркости
Changguang Huaxin увеличивает потери на рассеяние мод высокого порядка, подавляет побочные моды высокого порядка, улучшает качество луча лазерного чипа и улучшает яркость с помощью методов антиволновода и инженерии модификации микроструктуры. В настоящее время однотрубные чипы Changguang Huaxin достигают 95% медленной оси. Угол расходимости энергии составляет 9 °, а яркость превышает 80 МВт / см2sr.
Благодаря эффективному лечению и предотвращению различных влияющих факторов, однотрубный чип, независимо разработанный Changguang Huaxin, достиг коммерческой выходной мощности 28 Вт, испытательная мощность достигла более 30 Вт, угол отклонения энергии 95% по медленной оси 9 °, яркость более 80 МВт / см2ср, КПД Достиг 65%, ряд показателей производительности вышел на международный лидирующий уровень.
02 Высокая надежность для удовлетворения потребностей промышленного рынка
Мы стремимся к более высокой выходной мощности и эффективности преобразования, а удовлетворение более высоких требований промышленного рынка к долговечности лазеров также является направлением наших неустанных усилий.
Технология обработки поверхности полостей является ключом к определению надежности и промышленного применения мощных полупроводниковых лазерных чипов. Увеличение мощности лазерных чипов сопровождается увеличением температуры перехода чипа и плотности оптической мощности поверхности резонатора, что выдвигает более высокие требования к стойкости к повреждению поверхности резонатора. На основе многолетнего накопления ключевых технологий для специальной обработки поверхности полостей, Everbright улучшила технологический уровень независимого исследовательского и опытно-конструкторского оборудования, разработала новые технологии обработки поверхности полостей, улучшила уровень контроля качества обработки поверхности полостей и улучшила полость. способность поверхности противостоять оптическим катастрофическим повреждениям, чтобы обеспечить соответствие высокомощного лазерного чипа мощностью 28 Вт требованиям промышленного рынка в отношении срока службы лазера.
